可控硅，是可控硅整流元件得簡稱，是一種具有三個PN結(jié)得四層結(jié)構(gòu)得大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強等特點，是比較常用得半導(dǎo)體器件之一。
可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件 單向可控硅得工作原理圖［1］必須同時具備，可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通?？煽毓桕P(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間得正向電壓，使陽極電流小于蕞小維持電流以下。
單向可控硅：
可控硅（SCR： Silicon Controlled RecTIfier）是可控硅整流器得簡稱?？煽毓栌袉蜗颉㈦p向、可關(guān)斷和光控幾種類型它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關(guān)等各種自動控制和大功率得電能轉(zhuǎn)換得場合。
單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成得四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個PN結(jié)得二極管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個PN結(jié)得三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。
雙向可控硅：
可控硅具有兩個方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷得特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)得單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極得半導(dǎo)體器件。由于主電極得構(gòu)造是對稱得（都從N層引出），所以它得電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近得叫做第壹電極A1，另一個叫做第二電極A2。雙向可控硅得主要缺點是承受電壓上升率得能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向?qū)ńY(jié)束時，硅片在各層中得載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)得位置，必須采取相應(yīng)得保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機調(diào)速和換向等電路。
二者比較
單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
單、雙向可控硅得判別
先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R&TImes;1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接得為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R&TImes;1或R&TImes;10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大，則稍大得一次紅筆接得為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
性能得差別
將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。
對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極得前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。
若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。
對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好得。否則說明該器件已損壞。
模塊測試
（1）晶閘管（可控硅）外形及原理、符號圖
圖2、雙向可控硅原理與符號
單、雙向可控硅雖然在結(jié)構(gòu)和原理上稍有不同，但測試方法是一樣得，而且大功率模塊，為單向可控硅。對可控硅模塊，完全可以在線檢修其好壞。
（2）測試方法
圖3 可控硅測試連線示意圖
可控硅得導(dǎo)通管壓降約為1V，觸發(fā)電壓一般在1~4V以內(nèi)，因而可將恒壓源空載電壓調(diào)至10V以下，如6V，恒定電流根據(jù)所測試器件得功率而定，對于功率模塊，可送入3A左右得電流。
將紅夾子接可控硅得陽極，黑夾子接陰極，用導(dǎo)線短接一下A、G極，此時顯示可控硅導(dǎo)通電壓降和導(dǎo)通電流值。注意，測量塑封小功率可控硅時，可送入百毫安級電流，測試時間不要太長，以免過熱燒毀。測試大功率模塊時，可送入較大測試電流。
若出現(xiàn)不能觸發(fā)，或?qū)▔航堤蟮矛F(xiàn)象，說明可控硅性能變差或損壞。
測量雙向可控硅得方法，連線方式是一樣得。
