改造翻新擴散爐氧化爐lpcvd

LPCVD改造翻新是根據(jù)客戶的要求及現(xiàn)有機臺的狀況給出最優(yōu)的解決方案，可實現(xiàn)常壓擴散爐改為LPCVD，也可實現(xiàn)LPCVD中不同工藝的更換。

LPCVD技術(shù)指標
1.1工作溫度：300～900℃
1.2適用硅片尺寸：4～6英寸
1.3裝片數(shù)量：正片100～150片/管
1.4恒溫區(qū)長度：1000mm

1.5恒溫區(qū)穩(wěn)定性：≤±0.5℃
1.6極限真空度：6mTorr
1.7淀積膜均勻性：片內(nèi)≤±3%，片間≤±3%，批間≤±3%，

1.8氣源系統(tǒng)：進口配件、自動軌道焊接

1.9控制系統(tǒng)：整機控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計算機（WINDOWS系統(tǒng)，中文操作界面，方便簡潔）

可選配置：
1.1工藝管數(shù)量：1～4管

1.2進出舟模式：手動送片/自動送片（懸臂模式、軟著陸模式）

1.3控壓模式：MKS蝶閥控制模式和N2吹掃模式

1.4適用工藝：Poly、D-Poly、Si3N4、TEOS、PSG、SIPOS、LTO等